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      新品發布:SM51F003-->>完美兼容STM8S003F3P6

      來源:
      日期: 2016-11-30
      瀏覽次數: 1864

      SM51F003是一顆1T 8051單片機,與STM8S003F3P6有較好的兼容性,主要特點包括:

      1:EFT抗干擾能力強,目前面對多個方案測試中在均表現良好,部分方案電源為阻容降壓電路。干擾源為4.8Kv電壓,干擾頻率分為5K/10K兩種,整體正常工作。
      2:芯片級ESD和LATCHUP測試中人體放電模型可過4000V,機器放電可過400V,LATCH-UP可過350mA,達到工業品標準。
      3:上下電測試,各種電源上下電隨機波動,快速或者緩慢上下電芯片均正常啟動工作。
      4:待機低功耗典型值小于3uA,定時10ms啟動AD工作轉換平均功耗小于20uA。
      5:12位高精度ADC,配合內部高精度參考,有效地完成模數轉換。
      6:帶有10個大電流口,灌電流可達80mA。
      7:芯片帶有內部DATA_FLASH,擦寫次數可達10萬次,可替換外部EEPROM。
      8:高精度內部時鐘,全溫度-40度~85度實際變化范圍可做到正負1.5%。
      9:采用1T51核,標準KIEL開發平臺,開發簡單


      資源對比表

      品牌

      ST(意法半導體)

      NUVOTON(新唐)

      SINOMICON(中基國威)

      器件內核

      8位STM8

      8位1T8051

      8位1T8051

      完整型號

      STM8S003F3P6

      N76E003AT20

      SM51F003

      主頻

      16MHz

      16MHz

      16MHz

      封裝形式

      TSSOP20

      TSSOP20

      TSSOP20

      工作溫度

      -40℃至+85℃

      -40℃至+105℃

      -40℃至+85℃

      工作電壓

      2.95V至5.5V

      2.4V至5.5V

      2.1V至5.5V,最低工作1.8V

      休眠電流

      小于5uA

      小于5uA

      小于3uA,BOR,WDT使能

      工作電流

      230uA/MHz

      ——

      200uA/MHz

      內存空間

      8Kbytes(100次擦寫)

      18Kbytes MTP

      8Kbytes(10萬次擦寫)

      RAM

      1K Bytes

      1K Bytes

      1K Bytes

      EEPROM

      128 Bytes(獨立區域)

      18K Bytes閃存(非獨立區域)

      512 Bytes(獨立區域)

      IO數量

      16

      17個+1個輸入口

      17

      PWM

      3路16bit

      6路16bit

      6路16bit

      TIMER

      2x16bit+1x8bit

      3x16bit+1x16bit(for PWM)

      4x16bit

      ADC

      5路10bit,
      428kHz/14ck

      8路12bit,400kHz

      12路12bit,500kHz
      內置高精度VREF

      UART

      1CHS

      2CHS

      1CHS(分時用時可3路復用)

      SPI

      1(8Mbits)

      1(8Mbits)

      1(8Mbits)

      IIC

      1(400Kbit/s)

      1(400Kbit/s)

      1(400Kbit/s)

      高速
      內部RC

      16MHz±1.5%?
      @25℃至±85℃

      16MHz±1% @25℃
      16MHz±2% @-40至+105℃

      16MHz±1% @25℃
      16MHz±2% @-40至+85℃

      低速
      內部RC

      128kHz低速內部 RC

      10kHz低速內部 RC

      16kHz低速內部 RC

      ESD&EFT

      ——

      HBM/8KV MM400V.
      Over 4KV

      HBM/8KV MM400V.
      Over 4KV

      ICE

      on-chip/SWIM

      on-chip/two-wire

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