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產品特性Ø 內 核¡ 1T 8051內核，兼容標準8051指令集 ¡ 內核最高工作頻率 16MHzØ 存 儲¡ 8K字節MAIN FLASH程序存儲器，支持IAP（應用中自編程）功能（IAP操作時CPU暫停運行）¡ 512字節DATA FLASH數據存儲器，支持IAP（應用中自編程）功能（IAP操作時CPU暫停運行）¡ 核內256字節SRAM，核外768字節SRAMØ 復 位¡ 內置上電復位POR¡ 內置掉電復位BOR，支持4檔掉電檢測電壓2.1V, 2.5V, 3.7V, 4.2VØ 時 鐘¡ 外部2-20MHz晶體振蕩器，支持振蕩器停振檢測功能¡ 內部16MHz高精度振蕩器（出廠校準精度，全溫工作精度）¡ 內部16KHz低功耗振蕩器Ø 工作條件¡ VDD工作電壓范圍 2.0~5.5V¡ VREF工作電壓范圍2.6~5.5V¡ 工作溫度范圍 -40~85℃Ø 低功耗¡ 支持IDLE和SLEEP兩種低功耗模式¡ 待機睡眠功耗典型值3uA¡ 16KHz運行功耗典型值25uA¡ 16MHz運行功耗典型值3mAØ 端 口¡ 最多支持17個I/O端口¡ 所有端口支持獨立弱上拉和弱下拉控制¡ 所有端口支持外部中斷功能復用¡ 最多支持10個大電流驅動輸出口，最大灌電流80Ma Ø 外 設¡ 4路16位定時/計數器TMR¡ 3路邊沿捕捉器CAP¡ 3組獨立16位脈寬調制器PWM，每組支持2個PWM輸出通道¡ 1路IIC總線控制器，支持3組分時通訊端口¡ 1路UART收發器，支持4組分時通信端口¡ 1路SPI收發器¡ 內置低電壓檢測模塊LVD¡ 12通道12位SAR結構ADC，最高采樣率500KHz¡ 內置多檔可選高精度參考電壓VREF（出廠校準精度）Ø 封裝: TSSOP20
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發布時間：
2018
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MA51T12B是一款電容傳感專用芯片，最多支持12個電容檢測通道，通過IIC接口可方便的進行參數和工作模式配置，以及進行鍵值讀取等。應用方案實現外圍電路精簡，開發簡單，既為用戶降低了整體BOM成本，也為用戶實現小型化產品提供了必要條件。相比TSM12，MA51T12B為MA51T12的升級版本，寄存器配置兼容ADSTSM12，客戶無需修改TSM12代碼，可以直接使用原來的程序。相比TSM12，MA51T12B外圍元器件精簡，BOM成本降低，低功耗情況下的觸摸體驗有較大提升，芯片結構簡化，零基礎工程師可以很快上手。MA51T12適用于各種電容傳感應用方案，例如觸控按鍵，水位檢測，接近手勢識別等?？蓮V泛應用于智能門鎖、觸摸小家電領域。產品支持低功耗睡眠喚醒，睡眠工作電流低至10uA，可以滿足絕大多數電池供電設備應用。產品出色的抗干擾性能使產品可以適應大部分的惡劣應用環境，特別是在觸控按鍵應用領域中，產品的防水、防輻射干擾，以及電流注入測試等方面的性能表現突出，得到廣大用戶的一致認可。產品特性12個電容檢測通道，外圍電路極簡IIC通信接口用于鍵值讀取和工作參數配置每個按鍵靈敏度單獨可調低功耗模式工作電流小于10uA，支持觸摸喚醒支持觸摸中斷喚醒上位機，IIC通訊在不丟通訊數據的情況下可直接喚醒芯片VDD工作電壓范圍： 2.2~5.5V典型封裝：TSOP20/QFN20
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發布時間：
2019
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產品特性 ?內核 ? 1T 8051內核，兼容標準8051指令集 ? 內核最高工作頻率16MHz ? 存儲 ? 16K字節FLASH程序存儲器 ? 128字節 EEPROM數據存儲器 ? SRAM，核內 256字節，核外 768字節 ? 復位與啟動 ? 內置上電復位POR ? 內置掉電復位BOR，支持8檔掉電復位1.6V~4.4V，步進 0.4V ? 支持外部復位端口RSTN，低電平復位(此模式下芯片復位在 100us內完成) ? 時鐘 ? 外部32K-20MHz晶體振蕩器 XOSC ? 內部16MHz高精度振蕩器 HRC（出廠校準精度? 內部16KHz低功耗振蕩器 LRC，支持HRC輔助修正，修正精度? 調試和編程 ? 單線調試，單線編程 ? 工作條件 ? VDD=4.5V~5.5V@16M ? VDD=3.0V~5.5V@8M ? VDD=1.8V~5.5V@2M ? 工作溫度范圍 -40~85℃ ? 功耗 ? 待機睡眠功耗典型功耗 5uA ? LRC運行功耗典型功耗 15uA ? 8MHz@5V運行功耗典型3mA ? 端口 ? 最多支持30個I/O端口， 8個可復用COM口（COM端口灌電流最大80mA） 12個SEG復用口支持 2,4,8,15mA模式 ? 所有端口支持獨立弱上拉和弱下拉控制，可同時開啟上拉和下拉 ? 所有端口支持外部中斷喚醒? 外設 ? 4路16位定時/計數器TMR，支持比較捕捉功能 ? 3組獨立16+3位PWM，每組支持2路互補或同相輸出 ? 24通道TouchKey ? 12通道12位SAR ADC，其中1路通道用于VDD檢測，支持TMR2設定觸發ADC,可配合PWM設置觸發點。 ? 內置參考電壓2.5V,2.048V,1.5V,1.2V, 1.024V,0.8V,0.2V,出廠校準精度? 8COM x 12SEG LED驅動 ? 內置低電壓檢測模塊LVD；支持對VDD 8檔低電壓檢測電壓1.8V~4.6V,步進電壓為 0.4V；支持外部管腳輸入LVD檢測，比較電壓為1.2V。 ? 1路SPI ? 1路IIC，支持7位地址主從模式 ? 2路UART ? 封裝類型 SSOP28
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發布時間：
2020
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04
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01
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物聯網電力線載波模塊M220N是一款由上海中基國威電子股份有限公司自主研發的適用于低壓電力線載波通訊的產品。其核心部分主控制芯片基于 OFDM 調制解調技術，克服低壓電力線的各種干擾進行高可靠數據傳輸，具有高速率、抗電力線干擾強的特點。工作頻段為 0.7～30MHz。芯片集成了模擬收發通道和物理層通信基帶，傳輸介質為 220V 低壓電力線，傳輸模式為半雙工。該模塊外圍器件少，可簡化整體電路設計，主要用于家電智能控制，路燈控制等領域，為電力行業或其它公共事業部門提供了一種優秀系統解決方案。模塊包括2種，硬件外觀完全相同:CCO：中央協調器（Central Coordinator，CCO），主節點，創建并維護電力載波通訊網絡。STA：站點（Stattion），子節點。模塊特點：利用電力線實現寬帶通信，可靠性高，不需要重新布線。高速CPU，集成載波通信功能，實現控制、通信一體化，大大降低智能家居實現成本；功耗低、尺寸小，可以嵌入到智能家居和各類家電中，實現設備小型化。采用寬帶電力線載波方案，通訊速率高，優秀的抗干擾性能。模塊采用通用的串口通訊，方便與各種主流單片機通訊工作參數：工作頻段：0.7～34.5MHz串口通訊速率：2400bps、9600bps、115200bps工作頻率：50Hz/60Hz靜態功耗：≤0.4W動態功耗：≤1.5W工作溫度：-40℃～+85℃相對濕度：≤75%通訊范圍：整個配變臺區抗衰減性能：115dB重負載下抗衰減性能：105dB(1 歐姆負載）強干擾下抗衰減性：55dB（20Vpp 3MHz 方波干擾）最大路由級數及最大子節點量：最大路由級數 15 級，最大子節點數 900 個，可擴充至 1014個節點
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發布時間：
2020
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04
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